洪朝生

　　物理学家 1920年10月生于北京。1940年毕业于清华大学电机系。1948年获美国麻省理工学院理学博士学位。1980年当选为中国科学院学部委员(院士)。 中国科学院理化技术研究所研究员。发现了半导体锗单晶低温电导与霍耳效应反常现象，并提出杂质能级导电唯象模型，成为国际上无序系统电子输运机制研究的开端。中国低温物理与低温技术研究的开创者之一。创建中国科学院物理研究所低温物理实验室，建造氢、氦液化系统，开始了低温、超导研究。负责组建了中国科学院低温技术实验中心，致力于低温工程技术与低温物理的综合研究与应用开发。积极参与中国制冷学会、中国物理学会和国际低温工程理事会的学术交流活动。 获国际低温工程理事会2000年门德尔森奖。